Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISBN
0022-3727
Impact factor JCR
2,2
Impact info
Volume
41
Journal number
0
From page
065413
To page
065414
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: J. MIGUEL-SANCHEZ
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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