Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
The effect of the individual species of the N plasma on the characteristics of InAsN quantum dots grown by MBE
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LAS LINEAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECH
ISSN
0921-5107
Factor de impacto JCR
1,33
Información de impacto
Volumen
147
DOI
Número de revista
0
Desde la página
118
Hasta la página
123
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J.M SANCHEZ
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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