Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Impact of Nitrogen Ion Density on the Optical and Structural Properties of MBE Growh GaInAs/GaAs (100) and (111)B Quantum Wells
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
VER LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
2008
Editorial del Libro
Erol, Ayse
ISBN
000-00-0000-000-0
Serie
Springer Series in Materials Science
Título del Libro
Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems Physics and Technology ISBN 978-3-540-74529-7_2
Desde página
35
Hasta página
63
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica