Artículos en revistas:
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| VER LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS |
|
ISSN
|
0022-3727 |
|
Factor de impacto JCR
|
2,2 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
|
|
DOI
|
|
|
Número de revista
|
41 |
|
Desde la página
|
155102 |
|
Hasta la página
|
155104 |
|
Mes
|
AGOSTO |
|
Ranking
|
|
Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: B. DAMILANO
- Autor: M. HUGUES
- Autor: J. MASSIES
- Autor: Adrian Hierro Cano UPM
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
- Autor: J-Y DUBOZ
- Autor: Miguel Montes Bajo UPM
- Autor: M. Al KHALFIOU
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica