Artículos en revistas:
Resonant Raman-active localized vibrational modes in AlyGa{1-y}NxAs{1-x} alloys: Experiment and firstprinciples calculations
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICAL REVIEW B |
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ISSN
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1098-0121 |
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Factor de impacto JCR
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3,172 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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77 |
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Desde la página
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155208 |
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Hasta la página
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155213 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A.M TEWELDEBERHAN
- Autor: S. LAZIC
- Autor: S. FAHY
- Autor: Javier Miguel Sanchez UPM
- Autor: Miguel Montes Bajo UPM
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Autor: E. GALLARDO
- Autor: G. STENUIT
- Autor: Adrian Hierro Cano UPM
- Autor: Raquel Gargallo Caballero UPM
- Autor: J.M CALLEJA
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica