Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Structural properties of GaAsN/GaAs quantum wells studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunnelling microscopy
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,596
Impact info
Volume
93
Journal number
0
From page
083103
To page
083105
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: PM. KOENRAAD
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: M. HOPKINSON
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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