Artículos en revistas:
Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,596 |
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Información de impacto
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Volumen
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92 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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083101 |
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Hasta la página
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083105 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: P.J VAN VELDHOVEN
- Autor: R. NOTZEL
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: S. ANANTAHANASARN
- Autor: P.M KOENRAAD
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología