Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of an ultrathin GaAs interlayer on the structural properties of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
92
DOI
Número de revista
0
Desde la página
083101
Hasta la página
083105
Mes
ENERO
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: P.J VAN VELDHOVEN
  • Autor: R. NOTZEL
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
  • Autor: S. ANANTAHANASARN
  • Autor: P.M KOENRAAD

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología