Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A GaAs metalorganic vapor phase epitaxy growth process o reduce Ge out-diffusion from the Ge substrate
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
A barrier based on GaAs for controlling the Ge out diffusion has been developed by metalorganic vapor phase epitaxy. It is based on a thin GaAs layer 50 nm grown at a low temperature 500 °C on top of a predeposition layer, showing that GaAs prevents the Ge diffusing when it is grown at a low temperature. Additionally, two different predeposition monolayers have been compared, concluding that when the Ga is deposited first, the diffusions across the GaAs/Ge heterointerface decrease.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
92
DOI
Número de revista
0
Desde la página
152102-1
Hasta la página
152102-3
Mes
ENERO
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física