Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Montreux (Suiza), 2008
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
06/10/2008
Fecha fin congreso
10/10/2008
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Título de las actas
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: B. DEVEAUD-PLEDRAN
  • Autor: P. LEFEBVRE
  • Autor: P. CORFDIR
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: E. CALLEJA
  • Autor: J-D GANIERE
  • Autor: J. RISTIC
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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