Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
International
Si
Congress
Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)
960
Place
Montreux (Suiza), 2008
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
06/10/2008
End Date
10/10/2008
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Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si
Participants
  • Autor: B. DEVEAUD-PLEDRAN
  • Autor: P. LEFEBVRE
  • Autor: P. CORFDIR
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: E. CALLEJA
  • Autor: J-D GANIERE
  • Autor: J. RISTIC
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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