Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of GaInP ordering on the electronic quality of concentrator solar cells
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The orderingphenomenonproducesareductioninthebandgapoftheGaInPmaterial.Thougha drawbackformanyoptoelectronicapplications,orderingcanbeusedasanadditionaldegreeofmaterial and deviceengineeringfreedom.TheperformanceoftherecordefficiencyGaInP/GaAs/Gemultijunction solar cellsdependsonthequalityanddesignoftheGaInPtopcell,whichcanbeaffectedalsoby ordering. Thetradeoffexistingbetweenbandgapandminoritycarrierproperties,andthepossibilityof creating abacksurfacefield(BSF)structurebasedonanorder¿disorderGaInPheterostructuremakes the studyoftheorderingappealingforsolarcellapplications.Inthiswork,theorderingdependency with thegrowthconditionsandsubstrateorientationisstudied.Theresultsobtainedarepresentedto enrich andextendthedataavailableintheliterature.Thenthepropertiesoforder¿disorderGaInP heterostructuresareassessedbyusingthemasBSFinGaInPconcentratorsolarcells.Theexternal quantumefficiency(EQE)showsagoodbehavioroftheseBSFlayers,butunexpectedlypoorelectronic qualityintheactivelayers.Althoughtheexactoriginofthisproblemremainstobeknown,itis attributedtotrapsintroducedbytheordered/disordereddomainsmatrixorgrowthnativedefects.EQE measurementswithbiaslightshowarecoveryoftheminoritycarrierproperties,presumablyduetothe saturation ofthetraps.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,95
Información de impacto
Volumen
310
DOI
Número de revista
23
Desde la página
5209
Hasta la página
5213
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física