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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Friburgo (Alemania), 2008 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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21/09/2008 |
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Fecha fin congreso
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24/09/2008 |
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Título de las actas
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Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots |