Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
Congress
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
960
Place
Venice (Italia), 2008
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
02/11/2008
End Date
05/11/2008
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0
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms
Participants
  • Autor: D.J MOWBRAY
  • Autor: I.W. DROUZAS
  • Autor: V. HAXHA
  • Autor: P.M. KOENRAAD
  • Autor: M.A MIGLIORATO
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: H.Y. LIU
  • Autor: M.J STEER
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: R GARG
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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