Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms 17th Heterostructure Technology Workshop Venice (Italia), 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Venice (Italia), 2008
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
02/11/2008
Fecha fin congreso
05/11/2008
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Título de las actas
Atomistic Modelling of III-V Semiconductors: from a single tetrahedron to millions of atoms
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D.J MOWBRAY
  • Autor: I.W. DROUZAS
  • Autor: V. HAXHA
  • Autor: P.M. KOENRAAD
  • Autor: M.A MIGLIORATO
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
  • Autor: H.Y. LIU
  • Autor: M.J STEER
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: R GARG
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología