Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
International
Si
Congress
35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
960
Place
Friburgo (Alemania), 2008
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
21/09/2008
End Date
24/06/2008
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0
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers
Participants
  • Autor: B. DAMILANO
  • Autor: M. Al KHALFIOU
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: M. HUGUES
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: J. MASSIES
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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