Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Friburgo (Alemania), 2008
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
21/09/2008
Fecha fin congreso
24/06/2008
Desde la página
0
Hasta la página
0
Título de las actas
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica