Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
The Role of Strain in the Off-state Degradation Mechanism of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
Congress
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
960
Place
Montreux (Suiza), 2008
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
06/10/2008
End Date
10/10/2009
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0
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0
The Role of Strain in the Off-state Degradation Mechanism of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Participants
  • Autor: C. SÁNCHEZ
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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