Memorias de investigación
Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures Mini-Symposium on Physics and Applications of InN and InGaN Semiconductor Materials The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000-0000
Entidad relacionada
The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica