Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferences:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
0000-0000
Entity
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Entity Nationality
Sin nacionalidad
Place
Estrasburgo (Francia), 2008
Participants
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: J.M CALLEJA
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: S. LAZIC
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E LUNA
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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