Memorias de investigación
Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000-0000
Entidad relacionada
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2008 Symposium G (Wide band gap semiconductor nanostructures for optoelectronic applications) Estrasburgo (Francia), 2008
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
Estrasburgo (Francia), 2008
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica