Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,171
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
104
Desde la página
033544
Hasta la página
033546
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: C.T FOXON
  • Autor: J. IBAÑEZ
  • Autor: R. CUSCO
  • Autor: L. ARTUS
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: E ALARCON-LLADÓ
  • Autor: S. HERNÁNDEZ
  • Autor: S.V NOVIKOV
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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