Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Impact of carrier localization on the photoluminescence characteristics of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,171
Impact info
Volume
104
Journal number
11
From page
113502
To page
113502-5
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Achim Trampert
  • Autor: K. Ploog
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Oliver Brandt
  • Autor: Fumitario ISHIKAWA
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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