Artículos en revistas:
Impact of carrier localization on the photoluminescence characteristics of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(N,As,Sb) quantum wells
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,171 |
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Información de impacto
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Volumen
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104 |
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DOI
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Número de revista
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11 |
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Desde la página
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113502 |
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Hasta la página
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113502-5 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Achim Trampert
- Autor: K. Ploog
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
- Autor: Oliver Brandt
- Autor: Fumitario ISHIKAWA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica