Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
A. Redondo-Cubero, M. F. Romero, R. Gago, A. Muñoz-Martín, A.F. Braña, A. Jiménez, E. Muñoz "Study of a-SiN:H passivant layers for GaN-based high electron mobility transistors",European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de Nanoestructuras de Nitruros
Internacional
Si
Nombre congreso
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Estrasburgo (Francia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
28/05/2008
Fecha fin congreso
01/06/2007
Desde la página
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. JIMENEZ
  • Autor: A. REDONDO- CUBERO
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
  • Autor: A. MUÑOZ-MARTIN
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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