Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
A. Redondo-Cubero, M. F. Romero, R. Gago, A. Muñoz-Martín, A.F. Braña, A. Jiménez, E. Muñoz "Study of a-SiN:H passivant layers for GaN-based high electron mobility transistors",European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con la línea de investigación de Nanoestructuras de Nitruros
International
Si
Congress
European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
960
Place
Estrasburgo (Francia)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
Start Date
28/05/2008
End Date
01/06/2007
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Participants
  • Autor: A. JIMENEZ
  • Autor: A. REDONDO- CUBERO
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
  • Autor: A. MUÑOZ-MARTIN
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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