Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
E. Sillero, D. López-Romero, A. Bengoechea, M. A. Sánchez-García, F. Calle "Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con línea de investigacion de Microsistemas optoelectromecánicos
International
Si
Congress
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
960
Place
Las Vegas (USA)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
Start Date
16/09/2007
End Date
21/09/2007
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Participants
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
  • Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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