Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
E. Sillero, D. López-Romero, A. Bengoechea, M. A. Sánchez-García, F. Calle "Fabrication and stress relief modelling of GaN based MEMS test structures grown by MBE on Si(111)" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigacion de Microsistemas optoelectromecánicos
Internacional
Si
Nombre congreso
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Las Vegas (USA)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
16/09/2007
Fecha fin congreso
21/09/2007
Desde la página
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
  • Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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