Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy" Microscopy of Semiconducting Materials XV Cambridge (UK) 2 al 5 de abril de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Crecimiento Epitaxial de nitruros del grupo III y Nanoestructuras de nitruros
Internacional
Si
Nombre congreso
Microscopy of Semiconducting Materials XV Cambridge (UK) 2 al 5 de abril de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Cambridge (UK)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
02/04/2007
Fecha fin congreso
05/04/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: C. ÇELEBI
  • Autor: P.M KOENRAAD
  • Autor: A. SIMON
  • Autor: I. DROUZAS
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: N. BERTRU
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: D.J MOWBRAY
  • Autor: P. Offermans
  • Autor: M.J STEER
  • Autor: A. LETOUBLON
  • Autor: E. GAPIHAN
  • Autor: J.M. ULLOA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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