Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High temperature assessment of nitride-based devices
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY
ISSN
1005-0302
Factor de impacto JCR
0,468
Información de impacto
Volumen
19
DOI
Número de revista
0
Desde la página
189
Hasta la página
193
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J.L. PAU VIZCAÍNO
  • Autor: Jorge Pedros Ayala (UPM)
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: A.F BRAÑA
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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