Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High temperature assessment of nitride-based devices
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY
ISSN
1005-0302
Factor de impacto JCR
0,468
Información de impacto
Volumen
19
DOI
Número de revista
0
Desde la página
189
Hasta la página
193
Mes
ENERO
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica