Artículos en revistas:
Growth of Nitrogen-Doped MgxZn1−xO for Use in Visible Rejection Photodetectors
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY |
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ISSN
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0374-4884 |
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Factor de impacto JCR
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1,204 |
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Información de impacto
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Volumen
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53 |
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DOI
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Número de revista
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5 |
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Desde la página
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2909 |
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Hasta la página
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2912 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A. NAKAMURA
- Autor: T. AOSHIMA
- Autor: S. GANGIL
- Autor: Álvaro Navarro Tobar UPM
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Autor: J. TEMMYO
- Autor: Juan Pereiro Viterbo UPM
- Autor: T HAYASHI
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica