Descripción
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Estuve midiendo transistores HEMT de AlGaN/GaN a baja temperatura, centrándome en el efecto kink: origen, evolución y efectos. | |
Internacional
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Si |
Lugar
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Santa Bárbara, California, USA |
Tipo
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Miembros en el extranjero |
Fecha inicio
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28/04/2008 |
Fecha fin
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27/07/2008 |