Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Nanostructures with Group IV nanocrystals obtained by LPCVD and annealing of SiGeO layers
Año:2008

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Nanocrystals embedded in an oxide matrix have been fabricated by annealing SiGeO films deposited by LPCVD. The composition of the oxide layers and its evolution after annealing as well as the presence and nature of nanocrystals in the films have been studied by several experimental techniques. The results are analyzed and discussed in terms of the main deposition parameters and the annealing temperature.
Internacional
Si
Nombre congreso
Materials Research Society 2008 Spring Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Francisco, California, EEUU
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
24/03/2008
Fecha fin congreso
28/03/2008
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2
Hasta la página
7
Título de las actas
Amorphous and Polycristalline Silicon Science and Technology 2008

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica