Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patents:
Material de banda intermedia basado en un compuesto semiconductor de tipo calcogenuro de estaño
Year:2009
Research Areas
  • Organic materials,
  • Magnetic materials
Information
Abstract
La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del semiconductor de partida, un resultado equivalente al que se consigue absorbiendo un fotón de energía superior a dicha anchura en ausencia de banda intermedia. Usando el material de la invención se obtiene un mayor rendimiento y mejores prestaciones en diversos dispositivos de tipo fotovoltaico, fotocatalítico, fotoelectroquímico, optoelectrónico o de conversión fotónica.
International
No
Status
Solicitada
application number
P200930680
under exploitation
No
Date
11/09/2009
Owner
Consejo Superior de Investigaciones Científicas
Participants
  • Autor: Perla Wahnon Benarroch (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Tecnologías Especiales Aplicadas a la Telecomunicación
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)