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Descripción
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| Material de silicio de banda intermedia que comprende una variedad de silicio, tal como las de tipo clatrato, amorfo o nanoestructurado, cuyo ancho de banda prohibida, también llamado bandgap, está aumentado hasta alcanzar un valor en el rango entre 1.7 y 2.5 eV, y en el que la banda intermedia se forma mediante la inclusión intersticial o sustitucional, en dicha variedad de silicio, de elementos de transición ligeros, seleccionados de los grupos 4-11 de la tabla periódica, que aportan bandas electrónicas parcialmente ocupadas situadas dentro del bandgap de manera que se forma en dicha variedad de silicio una banda intermedia, constituyendo así un material para ser utilizado como absorbente de luz en dispositivos de conversión fotovoltaica, como absorbente de luz en sistemas fotocatalíticos o fotoelectroquímicos, para aplicaciones de conversión fotónica ¿hacia arriba¿ o ¿hacia abajo¿ (up-conversion o down-conversion) o para aplicaciones en espintrónica o en dispositivos de detección de radiación. | |
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Internacional
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No |
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Estado
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Solicitada |
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Referencia Patente Prioritaria
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P200930433 |
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En explotación
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No |
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Fecha solicitud
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09/07/2009 |
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Titulares aparte de la UPM
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CSIC - Consejo Superior de Investigaciones Científicas |