Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
R. CUERDO, E. SILLERO, M. F. ROMERO, M. J. UREN, M.-A. DI FORTE POISSON, E. MUÑOZ, F. CALLE "High Temperature Microwave Performance of Submicron AlGaN/GaN HEMTs on SiC" IEEE Electron Device Letters, 30, 808-810 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISSN
0741-3106
Factor de impacto JCR
3,049
Información de impacto
Volumen
30
DOI
Número de revista
0
Desde la página
808
Hasta la página
810
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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