Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
A. GUZMÁN, E. LUNA, F. ISHIKAWA, A. TRAMPERT "The role of Sb and N ions on the morphology and localization of (Ga,In) (N,As) quantum wells" Journal of Crystal Growth, 311, 1728-1732 (2009)
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISBN
0022-0248
Impact factor JCR
1,757
Impact info
Volume
311
Journal number
0
From page
1728
To page
1732
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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