Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
V. HAXHA, I. DROUZAS, J.M. ULLOA, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD, D.J. MOWBRAY, H.Y. LIU, M.J. STEER, M. HOPKINSON, M.A. MIGLIORATO "Role of Segregation in InAs/GaAs Quantum Dot Structures Capped with a GaAsSb Strain Reduction Layer" Physical Review B 80, 165334 (2009)
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
Si
Title
PHYSICAL REVIEW B
ISBN
1098-0121
Impact factor JCR
3,322
Impact info
Volume
80
Journal number
0
From page
165334
To page
165338
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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