Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
C. RIVERA, E. MUÑOZ "The role of electric field-induced strain in the degradation mechanism of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors" Applied Physics Letters 94, 053501 (2009).
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,726
Impact info
Volume
Journal number
94
From page
053501
To page
053501
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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