Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
V. TASCO, A. CAMPA, I. TARANTINI, A. PASSASEO, F. GONZÁLEZ-POSADA, A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, E. MUÑOZ "Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layer" Journal of Applied Physics, 105, 063510 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,201
Información de impacto
Volumen
105
DOI
Número de revista
0
Desde la página
063510
Hasta la página
063513
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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