Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
V. TASCO, A. CAMPA, I. TARANTINI, A. PASSASEO, F. GONZÁLEZ-POSADA, A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, E. MUÑOZ "Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layer" Journal of Applied Physics, 105, 063510 (2009)
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,201
Impact info
Volume
105
Journal number
0
From page
063510
To page
063513
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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