Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferencias:
E.MUÑOZ ET AL "Materials and Strain Issues in AlGaN/GaN HEMT Degradation" 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (ISSDM 2009). Tokyo (Japan), 2009
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
ISSN o ISBN
00000
Entidad relacionada
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (ISSDM 2009).
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
Tokyo (Japan), 2009
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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