Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
A. HIERRO, G. TABARES, J.M. ULLOA, E. MUÑOZ, A. NAKAMURA, T. HAYASHI, J. TEMMYO "Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (France), 2009
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
Congress
Spring European Materials Research Society Conference 2009
960
Place
Strasburg (France), 2009
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
14/09/2009
End Date
18/09/2009
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0
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"Carrier compensation by deep levels in a-plane MgxZn1-xO Schottky photodiodes grown by RPE-MOCVD"
Participants
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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