Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
F. GONZÁLEZ-POSADA FLORES, C. RIVERA, E.MUÑOZ. "The effects of processing of high-electron-mobility transistors on the strain state and the electrical properties of AlGaN/GaN structures" Applied Physics Letters 95, 203504 (2009)
Year:2009
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,726
Impact info
Volume
95
Journal number
0
From page
203504
To page
203507
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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