Descripción
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En este trabajo se presenta un modelo de simulación de diodos láser de cavidad vertical en dos dimensiones y en condiciones de estática. Dicho modelo está basado en la solución autoconsistente de las ecuaciones del semiconductor y de la ecuación de fotones en la estructura epitaxial en las direcciones vertical y lateral | |
Internacional
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No |
Nombre congreso
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6th Spanich Conference on Electron Devices 2007 |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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San Lorenzo del Escorial (Madrid) |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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1-4244-0868-7 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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31/01/2007 |
Fecha fin congreso
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02/02/2007 |
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Título de las actas
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