Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light emitting diodes". Journal of Applied Physics 108, 033104/1-033104/8, 2010.
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,072
Impact info
Volume
Journal number
108
From page
033104/1
To page
033104/8
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: M. Al Khalfioui
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: M. Hugues
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: B. Damilano
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: J. Massies
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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