Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
J. PEREIRO, A. REDONDO-CUBERO, S. FERNANDEZ-GARRIDO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUNOZ, E. CALLEJA, R. GAGO, "Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes" Journal of Physics D: Applied Physics, 43, 33, 335101 (2010)
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISBN
0022-3727
Impact factor JCR
2,083
Impact info
Volume
43
Journal number
33
From page
335101
To page
335103
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: J. PEREIRO
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: C. RIVERA
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: A. NAVARRO
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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