Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J. PEREIRO, A. REDONDO-CUBERO, S. FERNANDEZ-GARRIDO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUNOZ, E. CALLEJA, R. GAGO, "Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes" Journal of Physics D: Applied Physics, 43, 33, 335101 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,083
Información de impacto
Volumen
43
DOI
Número de revista
33
Desde la página
335101
Hasta la página
335103
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J. PEREIRO
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: C. RIVERA
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: A. NAVARRO
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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