Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, D. HOSSEINI, S. ESTRADE, F. PEIRÓ, E. CALLEJA ''InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam Epitaxy'' Journal of Applied Physics, 108, 113117 (2010).
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,072
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
108
Desde la página
113117
Hasta la página
113120
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: D. HOSSEINI
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: S STRADE
  • Autor: F. PEIRÓ
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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