Descripción
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Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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10th Int. Workshp on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semicond - BIAMS 2010 Halle (Germany), 2010 |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Halle (Germany), 2010 |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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0000000000000 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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04/07/2010 |
Fecha fin congreso
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08/07/2010 |
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Título de las actas
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"Exciton relaxation and recombination mechanisms in a-plane GaN probed by time-resolved cathodoluminescence" |