Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
P. CORFDIR, A. DUSSAIGNE, P. LEFEBVRE, H. TEISSEYRE, J.-D. GANIÈRE, N. GRANDJEAN, B. DEVEAUD-PLÉDRAN "Radiative lifetimes of localized and free excitons in homoepitaxial non-polar (Al,Ga)N/GaN single quantum well". 39 th International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Jaszowiec (Poland), 2010
Año:2010

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
39 th International School and Conference on the Physics of Semiconductors Jaszowiec (Poland), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Jaszowiec (Poland), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
19/06/2010
Fecha fin congreso
24/06/2010
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Título de las actas
"Radiative lifetimes of localized and free excitons in homoepitaxial non-polar (Al,Ga)N/GaN single quantum well"

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: P. CORFDIR
  • Autor: A. DUSSAIGNE
  • Autor: Pierre Lefebvre . UPM
  • Autor: H. TEISSEYRE
  • Autor: J.-D. GANIÈRE
  • Autor: N. GRANDJEAN
  • Autor: B. B. DEVEAUD-PLÉDRAN

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología