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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Int. Workshop on Nitride Semiconductors. IWN 2010 Tampa (USA), 2010 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Tampa (USA), 2010 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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09/09/2010 |
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Fecha fin congreso
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24/09/2010 |
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Título de las actas
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"Distortion of donor properties in III-nitride based nano-scale systems" |