Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010
Año:2010

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
European Materials Research Society Spring Meeting 2010 Strasbourg (France), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Strasbourg (France), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
07/06/2010
Fecha fin congreso
11/06/2010
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Título de las actas
GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 ¿ 1.55 µm emission

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología