Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Chemical characterization by XPS of Cu/Ge ohmic contacts to n-GaAs
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Chemical composition of Cu/Ge layers deposited on a 1 μm thick n-type GaAs epitaxial layer (doped with Te to a concentration of 5 × 1018 cm−3) and its interface were examined ex situ by XPS combined with Ar+ sputtering. These measurements indicate a diffusion of Cu and Ge from the Cu/Ge layer towards GaAs and, also, an out-diffusion of Ga and As from the GaAs layer to the metallic films. The Auger parameter corrected Auger spectra and XPS spectra show only Cu and Ge metals in the in the Cu/Ge layer and in the interface.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL SURF SCI
ISSN
0169-4332
Factor de impacto JCR
1,406
Información de impacto
Volumen
253
DOI
Número de revista
11
Desde la página
5052
Hasta la página
5066
Mes
MARZO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: José Ramón Ramos Barrado (Universidad de Málaga)
  • Participante: M. C. López (Universidad de Málaga)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Participante: Mercedes Gabas (Universidad de Málaga)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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