Descripción
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El trabajo fue realizado utilizando el programa SOD (Site-occupancy disorder). El SOD se utiliza para calcular las configuraciones de los sitios ocupados en la red al modelar estructuras cristalinas de materiales semiconductores dopados, asi como también el desorden intrínseco, haciendo uso de operadores de simetría de los grupos puntuales en la estructura de partida, o sea, la que aun no posee dopantes. De esta manera el cálculo de los materiales dopados, así como el desorden estructural dentro de los materiales semiconductores que sirven de partida para la fabricación de materiales fotovoltaicos, se hace viable incluso si se utiliza superceldas para la modelación del desorden. Este tipo de estudio configuracional es muy importante para determinar las propiedades termodinamicas de los materiales y de esta manera la viabilidad o no de su fabricación. | |
Internacional
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Si |
Lugar
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University College London |
Tipo
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Miembros en el extranjero |
Fecha inicio
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09/08/2011 |
Fecha fin
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14/11/2011 |