Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
ARXPS characterization of InGaP/GaAs hetereointerface grown by MOVPE
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
This paper studies the chemical composition of the hetereointerface of the semiconductors InGaP/GaAs, grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE), by means of Xray Photoelectrons Spectroscopy (XPS) by two methods: conventional XPS with Ar+ sputtering and by angle resolved XPS (ARXPS). Firstly, from the corrected Auger parameter for different angles, we have determined the depth of the Ga oxide in the superficial GaAs layer by environmental contamination and we have studied its influence in the interface. The thickness of Ga2O3 is only of some Armstrong and it no presents an important influence in the interface.
Internacional
Si
Nombre congreso
2007 Spanish Conference on Electron Devices
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Lorenzo de El Escorial (Madrid)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1-4244-0868-7
DOI
Fecha inicio congreso
31/01/2007
Fecha fin congreso
02/02/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: José Ramón Ramos Barrado (Universidad de Málaga)
  • Participante: M. C. López (Universidad de Málaga)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Participante: Mercedes Gabas (Universidad de Málaga)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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