Artículos en revistas:
Photoreflectance analysis of a GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cell
Año:2010
Áreas de investigación
- Física química y matemáticas
Datos
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Descripción
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| We have analyzed the photoreflectance spectra of a GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell. The spectra reveal signatures from the window layer and middle and top subcells included in the stack. Additional contributions from the multilayer buffer introduced between the mismatched bottom and middle cells have been detected. Franz-Keldysh oscillations (FKOs) dominate the spectra above the fundamental bandgaps of the GaInP and GaInAs absorbers. From the FKO analysis, we have estimated the dominant electric fields within each subcell. In light of these results, photoreflectance is proposed as a useful diagnostic tool for quality assessment of multijunction structures prior to completion of the device or at earlier stages during its processing. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3517255] | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,554 |
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Información de impacto
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Volumen
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97 |
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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203504-1 |
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Hasta la página
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203504-3 |
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Mes
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NOVIEMBRE |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Participante: Enrique Cánovas
- Autor: David Fuertes Marron UPM
- Participante: Andreas W. Bett
- Autor: Antonio Marti Vega UPM
- Participante: Frank Dimroth
- Autor: Antonio Luque Lopez UPM
- Participante: S.P. Philips
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- Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar