Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Acceptor and donor ionization energy levels in O-doped ZnTe
Año:2010
Áreas de investigación
  • Química,
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
The O-doped ZnTe (ZnTe1-xOx) alloys present induce levels through O doping into the host semiconductor gap. ZnTe usually crystallizes in the zinc-blend structure and ZnO in the wurtzite structure under normal conditions. Therefore two possible ZnTe1-xOx phases may coexist, although in different proportions, depending on experimental growth conditions. We present total energy calculations and analyze some of their electronic properties with respect to: the two ordered wurtzite and zinc-blende structures, the concentration (x from 0.0078 to 0.5), the localized basis set (from single-zeta to quadruple-zeta with polarization basis sets), and the variation of the ionization levels with x and with the distance O-Zn. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
ISSN
0927-0256
Factor de impacto JCR
1,522
Información de impacto
Volumen
49
DOI
Número de revista
Desde la página
368
Hasta la página
371
Mes
AGOSTO
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar