Artículos en revistas:
Analyses of the intermediate energy levels in ZnTe:O alloys
Año:2010
Áreas de investigación
- Química física
Datos
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Descripción
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| The isoelectronic doping of ZnTe with oxygen leads to deep levels on which carriers recombine radiatively via intermediate band states. The electronic density and the impurity-host character of these deep levels are analyzed using first principles, for the wurtzite and zinc-blende structures, different oxygen concentration, and different exchange-correlation approach. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,554 |
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Información de impacto
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Volumen
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96 |
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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121104-1 |
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Hasta la página
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121104-3 |
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Mes
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MARZO |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Cesar Tablero Crespo UPM
- Autor: Antonio Marti Vega UPM
- Autor: Antonio Luque Lopez UPM
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- Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar