Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Año:2010
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,105
Información de impacto
Volumen
43
DOI
10.1088/0022-3727/43/33/335101
Número de revista
33
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7
Mes
SIN MES
Ranking
31/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. pereiro (UPM)
  • Autor: a. redondo-cubero (UPM)
  • Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
  • Autor: c. rivera (UPM)
  • Autor: a. navarro (UPM)
  • Autor: e. munoz (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
  • Autor: r. gago
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Fundamentos teórico-prácticos de la Intervención en el Patrimonio Arquitectónico
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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