Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Año:2010

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,105
Información de impacto
Volumen
43
DOI
10.1088/0022-3727/43/33/335101
Número de revista
33
Desde la página
0
Hasta la página
7
Mes
SIN MES
Ranking
31/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: j. pereiro UPM
  • Autor: a. redondo-cubero UPM
  • Autor: s. fernandez-garrido UPM
  • Autor: c. rivera UPM
  • Autor: a. navarro UPM
  • Autor: e. munoz UPM
  • Autor: e. calleja UPM
  • Autor: r. gago

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Fundamentos teórico-prácticos de la Intervención en el Patrimonio Arquitectónico
  • Departamento: Ingeniería Electrónica