Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Year:2010
Research Areas
Information
Abstract
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISBN
0022-3727
Impact factor JCR
2,105
Impact info
Volume
43
10.1088/0022-3727/43/33/335101
Journal number
33
From page
0
To page
7
Month
SIN MES
Ranking
31/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participants
  • Autor: j. pereiro (UPM)
  • Autor: a. redondo-cubero (UPM)
  • Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
  • Autor: c. rivera (UPM)
  • Autor: a. navarro (UPM)
  • Autor: e. munoz (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
  • Autor: r. gago
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Fundamentos teórico-prácticos de la Intervención en el Patrimonio Arquitectónico
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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